装置参数 | 指标 | 备注 |
装置简介 | 使用脉冲电流注入法把威胁级瞬态电流脉冲耦合到射频天线电磁屏蔽体的外部导体上,测试安装有电气耦合通道保护器件的系统或工作电路是否具有规定要求的瞬态抑制/衰减功能,证明关键设备/子系统没有 受到剩余瞬时应力的干扰和损伤。 | |
脉冲源电压 | 0.2kV-25kV(可定制最高3MV脉冲源) |
电流波形参数满足 MIL-STD-188-125 -2/charge line 标准 |
脉冲电流 | 40A-400A | |
脉冲电流上升沿 | <5ns | |
脉冲电流半高宽 | 1-100ns 定制 | |
控制方式 | 触摸屏控制 | |
典型波形 (50Ω 匹配负载) |
|
装置参数 | 指标 | 备注 |
装置简介 | 使用脉冲电流注入法把威胁级瞬态电流脉冲耦合到射频天线电磁屏蔽体的外部导体上,测试安装有电气耦合通道保护器件的系统或工作电路是否具有规定要求的瞬态抑制/衰减功能,证明关键设备/子系统没有 受到剩余瞬时应力的干扰和损伤。 | |
脉冲源电压 | 0.2kV-25kV(可定制最高3MV脉冲源) |
电流波形参数满足 MIL-STD-188-125 -2/charge line 标准 |
脉冲电流 | 40A-400A | |
脉冲电流上升沿 | <5ns | |
脉冲电流半高宽 | 1-100ns 定制 | |
控制方式 | 触摸屏控制 | |
典型波形 (50Ω 匹配负载) |
|